euv光刻機原理
【euv光刻機原理】euv光刻機原理是接近或接觸式光刻通過無限靠近 ， 復制掩模板上的圖案；直寫式光刻是將光束聚焦為一點 ， 通過運動工件臺或鏡頭掃描實現任意圖形加工 。投影式光刻因其高效率、無損傷的優點 ， 是集成電路主流光刻技術 。
光刻機（MaskAligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備 。其分為兩種 ， 一種是模板與圖樣大小一致的contactaligner ， 曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper ， 獲得比模板更小的曝光圖樣 。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花” ， 制造難度很大 ， 全世界只有少數幾家公司能制造 。
高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種 ， 分辨率通常在十幾納米至幾微米之間 ， 高端光刻機號稱世界上最精密的儀器 ， 世界上已有7000萬美金的光刻機 。高端光刻機堪稱現代光學工業之花 ， 其制造難度之大 ， 全世界只有少數幾家公司能夠制造 。國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國） ， 日本Nikon（intel曾經購買過Nikon的高端光刻機）和日本Canon三大品牌為主 。
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